Skip links

Intel скоро ще задмине TSMC по плътност на транзисторите

Intel може да възстанови технологичния паритет с TSMC още през 2024 г.
(снимка: Intel)

В продължение на десетилетия тенденцията на удвояване на плътността на транзисторите в чиповете на всеки една и половина до две години, съгласно Закона на Мур, определяше темповете на развитие на компютърните технологии като цяло. Intel загуби лидерството си в тази област, но е амбициран да си го върне до средата на десетилетието.

Независими експерти прогнозират, че по някои критерии Intel ще може да направи това още през 2024 г. WikiChip Fuse вярва в подобен сценарий, стъпвайки на резултатите от доклади на TSMC за напредъка в усвояването на литографските стандарти за 3-нм производство. Известно е, че TSMC ще предложи най-малко пет разновидности на технологичния процес, но за свойствата на първите две – N3B и N3E – вече може да се говори с известна степен на увереност.

Очаква се TSMC да овладее производството на 3-нм процесори за Apple съгласно технологичния процес N3B. Тези чипове ще се появят в новото поколение iPhone тази есен и в компютри Mac като процесори от серия M3.

Технологичният процес N3B няма да се използва широко и повечето клиенти на TSMC ще чакат компанията да пусне в масово производство процеса N3E, което е планирано за следващите шест месеца. Възможно е Nvidia да стане клиент на TSMC в рамките на технологията N3E.

Intel отдавна смята собствената си система за обозначаване на технологичните процеси за несправедлива и затова преди известно време премина към по-абстрактен модел, който улеснява сравняването с технологиите на конкурентите. Intel 4, например, може да се сравни с N3 на TSMC.

По отношение на плътността на транзисторите в логическите блокове на чиповете и двете компании могат да достигнат паритет още тази година, тъй като ще се доближат до 125 милиона транзистора на квадратен милиметър площ.

Разбира се, в рамките на технологичните процеси от серия N3, тайванската TSMC може постепенно да увеличи плътността на транзисторите до 215 милиона на квадратен милиметър, но Intel няма да стои на едно място. Според експерти, в рамките на технологичния процес Intel 20A, компанията ще може да задмине TSMC по показателя плътност на транзисторите в чипа.

Всъщност, ако това се случи дори до края на 2024 г., Intel ще изпълни обещанията на главния изпълнителен директор Патрик Гелсингър да върне технологичния паритет до 2024 г. и да постигне превъзходство над конкурентите през 2025 г. и малко по-рано от графика.

Както показва анализът на WikiChip Fuse, TSMC не се справя добре в областта на литографията, тъй като всеки нов етап на технологията създава свои собствени предизвикателства и трудности. Плътността на транзисторите в клетките на паметта SRAM, която формира кеша в съвременните процесори, изобщо не се е увеличила в семейството N3 спрямо N5. Следователно, за разработчиците на процесори няма да е толкова лесно да увеличат обема на кеш паметта в своите чипове, ако се изисква това да стане в рамките на 3-нм технология.

Тайванската компания ще започне да произвежда продукти, базирани на технология N2, не по-рано от 2025 г., така че Intel ще има причина да претендира за технологично превъзходство над основния си конкурент през следващата година, като същевременно запази текущия темп на напредък в областта на литографията.

Съгласно плановете на Intel, преди края на десетилетието компанията трябва да стане вторият най-голям производител на чипове по договор в света, измествайки TSMC от първото място.

source

This website uses cookies to improve your web experience.
Начало